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业务概述

中芯国际成立于2000年，是全球领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆集成电路制造业领导者，在工艺制造能力、产能供应、服务配套等方面具有领先优势，可向全球客户提供0.35微米至14纳米不同技术节点晶圆代工服务。另外，公司还为客户提供设计服务与IP支持、光掩模制造等一站式配套服务，与产业链中各环节的合作伙伴一起为客户提供全方位的集成电路解决方案。

2021 年，公司实现营收356.31亿元，同比增长29.70%；归母净利润107.33亿元，同比增长147.75%，国内收入贡献64%，国外收入贡献36%，且随着国内芯片的崛起，其来自国内的收入呈现逐年增长之势。

主营业务构成：

公司以集成电路晶圆代工服务（Foundry 模式）为主，其他业务主要为晶圆代工服务的相关配套服务，2018年行业景气度影响代工毛利率大幅度下滑，公司在其他业务上实现较大突破从而影响二者占比，但总体集成电路代工仍为最核心的收入及利润来源，其他业务主要帮助第一大业务增强客户黏性，稳定合作关系，并非竞争力的核心来源，我们下述业务介绍围绕集成电路晶圆代工进行。

发展史

中芯国际成立于2000 年，创办人是张汝京先生。1979年，张汝京29岁，进入当时世界上最大的芯片制造商“德州仪器”工作，在技术岗上工作8年后，被派去划地盘，建新厂。张汝京在美国得州建立了4座芯片生产厂，接着又到意大利、日本、新加坡、台湾，接连建了10座芯片厂。1997年，49岁的张汝京回国建厂弥补国内的技术空白，却被行业龙头台积电收购。2000年，张汝京迁居上海创办中芯国际。

奠基期（2000-2004年）：

中芯国际于 2000 年在上海张江成立，是中国大陆第一家提供0.18微米技术节点的集成电路晶圆代工企业。

中芯国际创立前，大陆芯片企业大部分是IDM模式，即垂直整合制造 ，指从设计、制造、封装测试到销售自有品牌IC都一手包办。这种模式与大型芯片制造商相比，规模小、工艺相对落后、运营效率较低。因此，中芯国际选择给大型IDM企业代工的模式，得以在市场中立足。成立后的几年，凭借其技术优势推动公司芯片制程从0.25-0.35微米向0.13-0.18微米迈进，尺寸向更大的8英寸、12英寸迈进。

2003 年，公司收购天津摩托罗拉晶圆厂并成立中芯天津。公司陆续实现0.35微米～0.13微米的全面技术认证和量产，标志着公司集成电路晶圆代工技术完成初步积累。

积累期（2004-2015年）：

2004 年，公司有很多大事发生，业务上北京实现12英寸生产基地的投产（重要里程碑），成为国内首家8英寸和12英寸集成电路代工业务兼具的企业。也是2004年公司在港交所、纽交所同步上市。也是同年，台积电向起发起专利诉讼。

2005 年，公司年度营业收入首次突破 10 亿美元，并分别在 2006 年、2009 年、2011 年顺利实现 90 纳米、65/55 纳米、45/40 纳米的升级和量产，技术服务能力实现跨越式提升。

2009年，在与台积电的两次诉讼案风波后，公司管理层变动，王宁国博士接替张汝京任总裁CEO兼执行董事。2011年8月，原任华虹NEC的CEO邱慈云接棒中芯国际任CEO兼执行董事。邱慈云采取减慢对最先进制程的追求、注重成熟工艺应用的战略，减少盲目扩张，保持已有的高产能利用率，同时更专注本土市场。自此，公司进入成长期，对成熟工艺的深入发展以及对成本折旧的控制，使中芯国际收入持续增长，并且持续实现盈利。

2013 年，公司年度营业收入首次突破 20 亿美元。2015 年，公司实现 28nm 量产，同年上海的新 12 英寸生产线开始建设，为中芯国际的第一条 14nm 产线。

高速发展时期（2015年至今）：

2015 年至今，中芯国际实现 28/14nm FinFET 量产，同时公司在上海、北京、天津和深圳启动生产基地的新建和扩建，公司迎来快速发展期。

2017 年，梁孟松（原台积电研发处处长）加盟后，经营重心重返技术追赶，持续向 14nm、N+1等制程突破。2019Q3 公司实现 14nm FinFET 量产，目前N+1（对标10nm）/N+2（对标7nm）工艺推进顺利（追赶台积电最先进制程），2020 年7月16 日，公司正式登陆科创板。

主营业务分析

集成电路就是我们常听到的IC、芯片，是所有电子设备的驱动核心。是通过设计一块微型电子元器件的结构+算法，从而实现工作。而中芯国际所从事的业务是这块微型电子元器件结构的代工。进一步讲，是以晶圆为基础，运用数百种专用设备和材料，基于精心设计的工艺整合方案，经上千道工艺步骤，在晶圆上构建复杂精密的物理结构，实现客户设计的电路图形及功能。其中，晶圆作为集成电路的衬底，其材料包括硅，锗，砷化镓，磷化铟等，目前硅最为常用。

而与一般的“代工”业务不同，集成电路代工是一个相当有技术含量的工作，衡量技术最重要的指标就是制程。由于晶圆衬底的面积受限（目前最大能到12英寸），由此制程就非常关键，制程越小，集成度越大、功能越强。制程方面，摩尔定律认为集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍， 性能也将提升一倍，既往电子元器件发展都较为符合摩尔定律。但2015年制程达到10nm 以下开始发展乏力，7nm 和 5nm 先进制程量产进度已推迟很久，制程发展进入后摩尔时代。虽然现在先进制程已进入 10nm 及以下，但是资本开支庞大。据 Gartner 统计，16nm/14nm 芯片的平均 IC 设计成本约为 8000 万美元，而 28nm 体硅制程器件约为 3000 万美元，设计 7nm 芯片则需要 2.71 亿美元。因此对于没有庞大资金支持的非一线阵营厂商，工艺完善的成熟制程为主流选择，很难向先进制程迈进。目前代工企业中台积电7nm制程已经较为成熟，且满产；而三星则聚焦于 5nm 工艺；中芯国际当前量产14nm，布局7nm。从制程上来看，中芯国际只能算国内领先，同国际头部代工企业仍然有差距。

虽然国际上先进制程的制造市场已进入 7nm，但从市场需求量上来看，目前仍以 28nm 制程市场需求量占比最高（全球占比60%，主要是先进制程成本大幅度增长制约应用）。因此，中芯国际当前的制程进度同市场需求相比并不落后。这也是我们在前文公司发展史中反复提到的，公司不断在“技术的先进性”和“工艺的应用性”二者之间不断纠结与平衡的原因。

目前，格罗方德于 2018 年 8 月宣布将无限期地暂停 7nmLP 工艺的开发，以便将资源转移到更加专业的 14nm 和 12nmFinFET 节点的持续开发上。台联电也于 2018 年 8 月宣布了放弃 12nm 以下先进制程投资，而是专注于成熟工艺的改良并提升投资回报率。

而中芯国际也是在成熟工艺上进行改良从而提升回报率的打法。其常被提及的 14nm FinFET工艺，其与现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%，该工艺在功率和稳定性方面和7nm工艺非常相似，可以大致理解为向7nm工艺升级中的过渡技术（7nm工艺性能提升可达35%，更高），目前该工艺已经实现量产。

当然目前集成电路领域的技术升级一方面是遵循摩尔定律追求制程的微型化（重资本投入），也有另外一条方向是资本开支较小的工艺特色化。特色工艺聚焦于特殊功能的实现，产品类别广泛，并能形成特色集群优势，拥有各自的市场定位和发展趋势，被认为是“摩尔定律”之外的重要发展分支。公司在介绍研发进度时也是从这两个技术演进方向维度做介绍，公司也开始研发特色工艺，以突破后摩尔定律的局限。

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